MR-2磁阻效应实验仪

MR-2磁阻效应实验仪一、概述磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等探测器。磁阻器件品种较多,可分为正常磁电阻,各向异性磁电阻,特大磁电阻,巨磁电阻和隧道磁电阻等。其中正常磁电阻的应用十分普遍。锑化铟(InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻,有着十分重要的应用价值

MR-2磁阻效应实验仪

一、概述

磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等探测器。磁阻器件品种较多,可分为正常磁电阻,各向异性磁电阻,特大磁电阻,巨磁电阻和隧道磁电阻等。其中正常磁电阻的应用十分普遍。锑化铟(InSb)传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻,有着十分重要的应用价值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。本实验装置结构简单,实验内容丰富,使用两种材料的传感器:砷化镓(GaAs)作为测磁探头测量电磁铁气隙中的磁感应强度,研究锑化铟(InSb)在一定磁感应强度下的电阻,融合霍尔效应和磁阻效应两种物理现象,具有科学研究的前瞻性,特别适合大学物理实验。

二、实验内容

1.  测定通过电磁铁的励磁电流IM和电磁铁气隙中磁感应强度的关系,观测GaAs传感器的霍尔效应。

2.  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

3.  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合

4.  外接信号发生器,深入研究磁电阻的交流特性(倍频效应)和观测其特有的物理现象。

三、主要技术参数

1) 恒流源1:输出电流0-1A,连续可调,分辨率1mA,三位半数字电流表显示。

2) 内置InSb电阻用恒流源0-4mA.

3)电压表:量程±1999.9mV,四位半数字电压表显示,分辨率0.1mV。

4)数字毫特仪:量程量程0±1999.9mT,分辨率0.1mT,准确度优于1%FS;四位半数字显示.


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